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자료유형: 학술저널

저자정보: Minji Chae (Sookmyung Women’s University) Sooyeon Kim (Sookmyung Women’s University) Yeongseo Han (Sookmyung Women’s University) Dahyun Choi (Sookmyung Women’s University) Yoojin Choi (Sookmyung Women’s University) Hyejin Kim (Sookmyung Women’s University) Min-Kyu Joo (Sookmyung Women’s University)

저널정보: 한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology Applied Science and Convergence Technology Vol.31 No.4

발행연도: 2022.7

수록면: 85 - 88 (4page)

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Electrical conductivity (σ) indicates the efficiency of current flow through electronic materials, and varies with both carrier density (n<SUB>2D</SUB>) and mobility (𝜇). Studying the temperature-dependent σ of a material allows for the elucidation of various carrier transport mechanisms such as metal-insulator phase transition, Coulomb impurity scattering, metal-semiconductor barrier, and quantum tunneling features. Herein, we report a considerable interlayer resistance (R<SUB>IT</SUB>) effects on the carrier scattering mechanism occurring in a multilayer rhenium disulfide (ReS₂) transistor, particularly at high temperatures. At room temperature (T = 300 K), a channel centroid gradually migrates from the bottom to the top surface of ReS₂ multilayers by contributing to the suppressed R<SUB>IT</SUB> with increasing electrostatic drain (V<SUB>D</SUB>) and gate (V<SUB>G</SUB>) bias conditions. Meanwhile, for temperatures above 380 K, the effective interlayer resistance quickly decreases with increasing V<SUB>G</SUB>, and the ReS₂ multilayer consequently demonstrates an anomalous carrier mobility enhancement. For a better insight into the charge scattering mechanism, the obtained temperature-dependent carrier mobility was further analyzed by employing Matthiessen’s rule for Coulomb impurity scattering, phonon scattering, and interlayer resistance scattering, respectively. Our study would shed light on deep understanding for the high temperature carrier scattering mechanism and further improvements in diverse optoelectronic applications of ReS₂ multilayers.

#Multilayers #Channel migration #Charge scattering mechanism #Interlayer resistance #Carrier mobility

목차

ABSTRACT
1. Introduction
2. Experimental details
3. Results and discussion
4. Conclusions
References

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Yeongseo Han

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Dahyun Choi

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Yoojin Choi

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Hyejin Kim

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Min-Kyu Joo

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