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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2015.12
- 수록면
- 619 - 628 (10page)
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In this paper, we consider a method for estimating a stripe-type defect and the reconstruction of adefect-free L/S type mask used in lithography. Comparing diffraction patterns of defected and defect-freemasks, we derive equations for the estimation of the location and size of the defect. We construct ananalytical model for this problem and derive closed form equations to determine the location and sizeusing phase retrieval problem solving techniques. Consequently, we develop an algorithm that determinesa defect-free mask pattern. An example shows the validity of the equations
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M. S. Yi / 2001 / High sensitivity actinic detection of native defects on extreme ultraviolet lithography mask blanks / J. Vac. Sci. & Tech. B 19:2401~2405
A. Tchikoulaeva / 2013 / EUV actinic blank inspection: from prototype to production / Proc. SPIE 8679:86790
T. Harada / 2011 / The coherent EUV scatterometry microscope for actinic mask inspection and metrology / Proc. SPIE 8081:80810K
J. R. Fienup / 1982 / Phase retrieval algorithms: a comparison / Appl. Opt 21:2758~2769
J. A. Rodriguez / 2013 / Oversampling smoothness: an effective algorithm for phase retrieval of noisy diffraction intensities / J. Appl. Crystal 46:312~318
A. Tchikoulaeva / 2013 / EUV actinic blank inspection: from prototype to production / Proc. SPIE 8679:86790
T. Harada / 2011 / The coherent EUV scatterometry microscope for actinic mask inspection and metrology / Proc. SPIE 8081:80810K
J. R. Fienup / 1982 / Phase retrieval algorithms: a comparison / Appl. Opt 21:2758~2769
J. A. Rodriguez / 2013 / Oversampling smoothness: an effective algorithm for phase retrieval of noisy diffraction intensities / J. Appl. Crystal 46:312~318
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