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김경화 (한국해양대학교) 이강석 (한국해양대학교) 안형수 (한국해양대학교) 이재학 (한국해양대학교) 전영태 (한국해양대학교) 양민 (한국해양대학교) 이삼녕 (한국해양대학교) 황선령 (강남대학교) 이상걸 (한국기초과학연구원) 노효진 (한국기초과학연구원) 이원재 (동의대학교) 하동한 (한국표준과학연구원) 김석환 (안동대학교)
저널정보
한국물리학회 새물리 새물리 제71권 제10호
발행연도
2021.10
수록면
827 - 837 (11page)

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육방정계 Si 단결정 구조에 대한 라만 특성을 조사하였다. 총 길이 3230 ㎛의 시료에 대해 46개의 위치를 선택하였으며, 입사 레이저 파워는 0.5 mW에서 50 mW 까지 9 등급으로 변화하였다. 성장 동력이 되는 뿌리 부분에서 시작하여 육방정계의 몸체 그리고 끝부분의 상 변화를 라만 피크를 이용하여 해석하였다. Si-IV 다형체 → Si-XII → Si-XIII의 일련의 과정을 거쳐 Si-IV의 상으로 전환되고, 다시 Si-IV → Si-III 의 반금속 반도체로 변화되는 가능성을 설명한다. 또한 성장된 결정은 10000시간 이상에서도 변화가 없는 매우 안정적인 육방정계 Si 단결정임을 확인하였다. 이 결과는 앞으로 Si 분야의 다양한 응용을 위한 출발점이 될 수 있을 것으로 기대한다.
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목차

I. 서론
II. 실험 방법
III. 실험 결과 및 논의
IV. 결론
REFERENCES

참고문헌 (75)

참고문헌 신청
M. Raya-Moreno / 2017 / Appl. Phys. Lett 111:032107 google schola C. C. Yang / 2004 / Solid State Commun 129:437 google schola R. O. Piltz / 1995 / Phys. Rev. B 52:4072 google schola A. Blanco / 2000 / Nature 405:437 google schola S. Kodiyalam / 2001 / Phys. Rev. Lett. 86:55 google schola

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