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자료유형
학술저널
저자정보
Amir Altaf (Sungkyunkwan University) Manzoor Elahi (Chungang University) Syed Muzahir Abbas (Macquarie University) Jawad Yousaf (Abu Dhabi University) Eqab Almajali (University of Sharjah)
저널정보
한국전자파학회JEES Journal of Electromagnetic Engineering And Science Journal of Electromagnetic Engineering And Science Vol.22 No.4
발행연도
2022.7
수록면
419 - 426 (8page)

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In this work, a design of a transition from a standard D-band waveguide to substrate integrated waveguide (SIW) technology is presented for 6G applications. The waveguide is connected to an SIW by carving a slot at the bottom metal of the printed circuit board (PCB). A pair of vias is added to shift the inband null to a higher frequency, whereas a parasitic patch is used to improve impedance matching. A prototype of a back-to-back SIW transition is fabricated and measured using D-band VNA extenders. The measurement shows a -10 dB impedance bandwidth of 26.5 GHz (135-161.5 GHz) and a 3-dB bandwidth of 28 GHz (133.8-161.8 GHz). The transition can be integrated with a D-band antenna for 6G applications.
#SIW Technology #Waveguide-PCB Transition #6G Communication

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. SIW TRANSITION DESIGN
III. EXPERIMENTAL VALIDATION
IV. COMPARISON
REFERENCES

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