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The n-TOPCon solar cell has recently gained popularity in the photovoltaic sector because of its low cost and excellent efficiency. TOPCon solar cells have a passivating contact formed by a thin oxide layer and a poly-Si conductive layer. When poly-Si layer is used as front emitter, the current density of the TOPCon cells is generally limited owing to massive parasitic absorption losses in the front surface. In this study, we propose a passivating emitter contact to minimize the current density losses by forming a thin oxide and a local poly-Si conductive layer on the front emitter using a metal mask. On an n-type silicon wafer, we deposited an a-Si:H(p) thin film with thicknesses of 100, 150, and 200 nm using PECVD and a metal mask placed in the same location as the front grid electrode to produce a boron emitter layer. Aft ... 전체 초록 보기
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