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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2020.8
- 수록면
- 43 - 43 (1page)
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최근 국내 반도체 DRAM 및 NAND flash 메모리 제조 기술 고도화로 인하여 wafer 상단에 수 나노 스케일 수준의 박막증착 및 패턴 제작이 이루어지고 있으며, 이에 공정라인에서 제작되는 시편을 검사/계측하기 위한 기술에 대한 필요성이 요구되는 추세이다. 반도체 생산 제조 공정라인의 검사/계측 기술로 활용되는 ellipsometry 기술은 산란을 이용한 비파괴성 광학적 측정 기술로, 시편에 의해 변화된 편광정보(Ψ, △)를 획득하고, 이를 분석하여 제작 시편의 물성 및 박막 두께, 나노 패턴의 3D 형상을 계측하는 기술이다. 현 반도체 산업계에서 제작되는 wafer의 균일도는 기업의 수율과 관계하므로 측정속도에 대한 솔루션의 필요성이 크게 증대되고 있는 상황이며, 이에 기존 ellipsometry 기술이 지닌 기계적 메커니즘 및 전기 변조 장치 등의 구동부로 인한 초 단위 이상의 측정속도 제한 문제를 극복하기 위하여 본 연구팀은 2016년 마하젠더 sc ... 전체 초록 보기
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