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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
대한금속·재료학회 Electronic Materials Letters Electronic Materials Letters Vol.10 No.2
발행연도
2014.1
수록면
485 - 490 (6page)

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A serial electrochemical processes consisting of copper via filling, electropolishing, electroless copper plating and electroless tin plating were investigated for the 3D through silicon via (TSV) SiP application. Defect-free copper via filling was achieved by controlling current modes and additives. After via filling, electropolishing was performed to planarize over-plated copper. Electropolishing within the potential of mass-transfer region and with the assistance of additives, fine polished surface without thickness disparity was achieved. For bump formation process, electroless copper and tin plating which is a self-aligned process was applied. Consequently, Cu/Sn bump on via patterned wafer was obtain without using the conventional CMP and lithographic processes.

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