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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2018.1
- 수록면
- 199 - 206 (8page)
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We investigated the thermoelectric properties of Sn-doped (Bi1−xSnx)2Te3 (x = 0, 0.1, 0.3, 0.5, and 0.7%) compounds,which is known as topological insulators. Fermi level tuning by Sn-doping can be justified by the n- to p-type transitionwith increasing Sn-doping concentration, as confirmed by Seebeck coefficient and Hall coefficient. Near x = 0.3 and 0.5%,the Fermi level resides inside the bulk band gap, resulting in a low Seebeck coefficient and increase of electrical resistivity. The magnetoconductivity with applying magnetic field showed weak antilocalization (WAL) effect for pristine Bi2Te3while Sn-doped compounds do not follow the WAL behavior of magneto-conductivity, implying that the topological surfaceDirac band contribution in magneto-conductivity is suppressed with decreasing the Fermi level by Sn-doping. This researchcan be applied to the topological composite of p-type/n-type topological materials by Fermi level tuning via Sn-doping inBi2Te3compounds.
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