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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Sanjeev Kumar (PEC University of Technology) Rajalingam Thangavel (Indian School of Mines)
저널정보
대한금속·재료학회 Electronic Materials Letters Electronic Materials Letters Vol.13 No.2
발행연도
2017.1
수록면
129 - 135 (7page)

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Nanocrystalline Gd-doped ZnO thin films were deposited onsapphire (0001) substrates using sol-gel spin coatingtechnique. The structural and optical properties of depositedthin films were characterized by X-ray diffraction (XRD) andmicro Raman spectroscopy. Structural and optical studiesshow that the doped Gd ions occupy Zn sites retaining thewurtzite symmetry. Photoluminescence (PL) studies reveal thepresence of oxygen vacancies in Gd doped ZnO thin films. The resistivity of Gd doped ZnO thin film decreases withincrease in Gd doping upto 4%. Gd-doped ZnO filmsdemonstrate weak magnetic ordering at room temperature.

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