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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2017.1
- 수록면
- 1 - 8 (8page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (2)
2017
Fully Transparent, Non-volatile Bipolar Resistive Memory Device Based on Flexible Copolyimide Layer
유환철
,
김문영
,
홍민기
외 4명
한국고분자학회 학술대회 연구논문 초록집
2017.04
학술대회자료
Fully Transparent, Non-volatile Bipolar Resistive Memory Based on Flexible Copolyimide Films
유환철
,
김문영
,
홍민기
외 7명
Electronic Materials Letters
2017.01
학술저널
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Partially aliphatic homopolyimides and copolyimides were prepared from rel-(1'R,3S,5'S)-spiro[furan-3(2H),6'-[3]oxabicyclo[3.2.1]octane]-2,2',4',5(4H)-tetrone (DAn), 2,6-diaminoanthracene (AnDA), and 4,4'-oxydianiline (ODA)by varying the molar ratio of AnDA and ODA. We utilized these polyimidefilms as the resistive switching layer in transparent memory devices. WhileWORM memory behavior was obtained with the PI-A100-O0-based device(molar feed ratio of DAn : AnDA : ODA = 1 : 1 : 0), the PI-A70-O30-baseddevice (molar feed ratio of DAn : AnDA : ODA = 1 : 0.7 : 0.3) exhibitedbipolar resistive switching behavior with stable retention for 104 s. This resultimplies that the memory properties can be controlled by changing thepolyimide composition. The two devices prepared from PI-A100-O0 and PIA70-O30 showed over 90% transmittance in the visible wavelength rangefrom 400 to 800 nm. The behavior of the memory devices is considered to begoverned by trap-controlled, space-charge limited conduction (SCLC) andlocal filament formation.
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