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자료유형
학술저널
저자정보
M. Srinivasan (SSN College of Engineering) P. Karuppasamy (SSN College of Engineering) P. Ramasamy (SSN College of Engineering) A. K. Barua (IIEST)
저널정보
대한금속·재료학회 Electronic Materials Letters Electronic Materials Letters Vol.12 No.4
발행연도
2016.1
수록면
431 - 438 (8page)

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Numerical modelling has emerged as a powerful tool for the development andoptimization of directional solidification process for mass production of multicrystallinesilicon. A transient global heat transfer model is performed to investigate theeffect of bottom grooved furnace upon the directional solidification (DS) process ofmulti-crystalline silicon (mc-Si). The temperature distribution, von Mises stress,residual stress and dislocation density rate in multi-crystalline silicon ingots grown bymodified directional solidification method have been investigated for five growth stagesusing finite volume method at the critical Prandtl number, Pr = 0.01. This paperdiscusses bottom groove furnace instead of seed crystal DS method. It achieves anadvanced understanding of the thermal and mechanical behaviour in grown multicrystallineingot by bottom grooved directional solidification method. The von Misesstress and dislocation density were reduced while using the bottom grooved furnace. This work was carried out in the different grooves of radius 30 mm, 60 mm and 90 mmof the heat exchanger block of the DS furnace. In this paper, the results are presented for60 mm radius groove only because it has got better results compared to the othergrooves. Also, the computational results of bottom grooved DS method show betterperformance compared the conventional DS method for stress and dislocation densityin grown ingot.

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L. Sun / 2011 / Materials for Renewable Energy and Environment 1:95 google schola G. Muller / 2008 / AIP Conf. Proc 1270:255 google schola J. W. Shur / 2011 / Sol. Energ. Mat. Sol. C 95:3159 google schola A. F. B. Braga / 2008 / Sol. Energ. Mat. Sol. C 92:418 google schola K. Nakajima / 2011 / J. Cryst. Growth 319:13 google schola

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