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저자정보
Apurba Chakraborty (Indian Institute of Technology Kharagpur) Saptarsi Ghosh (Indian Institute of Technology Kharagpur) Partha Mukhopadhyay (Indian Institute of Technology Kharagpur) Sanjay K. Jana (Indian Institute of Technology Kharagpur) Syed Mukulika Dinara (IIT kharagpur) Ankush Bag (Indian Institute of Technology Kharagpur) Mihir K. Mahata (Indian Institute of Technology Kharagpur) Rahul Kumar (Indian Institute of Technology Kharagpur) Subhashis Das (IIT kharagpur) Palash Das (Indian Institute of Technology Kharagpur) Dhrubes Biswas (Indian Institute of Technology Kharagpur)
저널정보
대한금속·재료학회 Electronic Materials Letters Electronic Materials Letters Vol.12 No.2
발행연도
2016.1
수록면
232 - 236 (5page)

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The reverse bias leakage current mechanism of AlGaN/InGaN/GaNheterostructure is investigated by current-voltage measurement intemperature range from 298 K to 423 K. The Higher electric field acrossthe AlGaN barrier layer of AlGaN/InGaN/GaN double heterostructuredue to higher polarization charge is found to be responsible for strongFowler-Nordheim (FN) tunnelling in the electric field higher than3.66 MV/cm. For electric field less than 3.56 MV/cm, the reverse biasleakage current is also found to follow the trap assisted Frenkel-Poole(FP) emission in low negative bias region. Analysis of reverse FPemission yielded the barrier height of trap energy level of 0.34 eV withrespect to Fermi level.

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C. X. Wang / 2004 / Appl. Phys. Lett 84:2313 google schola G. Simin / 2001 / Jpn. J. Appl. Phys 40:1142 google schola N. Maeda / 1999 / Jpn. J. Appl. Phys 38:799 google schola A. Chakraborty / 2015 / Appl. Phys. Lett 106:082112 google schola J. W. P. Hsu / 2001 / Appl. Phys. Lett 78:1685 google schola

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