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학술저널
저자정보
김현빈 (한국원자력연구원) 오승환 (한국원자력연구원) 박병국 (한국과학기술원) 권호제 (한국원자력연구원) 윤진문 (한국원자력연구원)
저널정보
한국방사선산업학회 방사선산업학회지 방사선산업학회지 제13권 제4호
발행연도
2019.1
수록면
357 - 361 (5page)

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Magnetic thin film materials are used in various electronic device fields. We simulatedthe change of physical properties of magnetic thin film material by ion implantation and conductedexperimental verification. From the simulation results, it was possible to predict the etching byion beam, which showed a decrease in the saturation magnetization. In addition, the simulationresults confirmed that atomic diffusion may occur at the interface between the magnetic thinfilm material and the substrate, and vacancies may occur inside the thin film material. This wasshown to decrease the coercivity due to the decrease of the grain size of the magnetic thin film. Asa result, the decrease in saturation magnetization was minimal due to the ion implantation, butthe coercivity was reduced by more than 2 times, which may contribute to the development of lowpower electronic devices.
#Ion implantation #Magnetic thin film #Simulation

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Alben R / 1978 / Random anisotropy in amorphous ferromagnets / J. Appl. Phys 49(3):1653~1658 google schola Baek SH / 2018 / Spin currents and spin-orbit torques in ferromagnetic trilayers / Nature Mat 17:509~513 google schola Chen WQ / 2018 / Characterization of dose dependent mechanical properties in helium implanted tungsten / J. Nucl. Mat 509:260~266 google schola Correa MA / 2019 / Exploring the magnetization dynamics, damping and anisotropy in engineered CoFeB/ (Ag, Pt) multilayer films grown onto amorphous substrate / J. Mag. Mag. Mat 485:75~81 google schola Fergen Im Seemann K / 2002 / Soft ferromagnetic thin films for high frequency applications / J. Mag. Mag. Mat 242-245:146~151 google schola

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