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저자정보
Poreddy Chaitanya Akshara (University of Hyderabad) M. Ghanashyam Krishna (University of Hyderabad) G. Rajaram (University of Hyderabad) Y. Rajesh (University of Hyderabad) Nilanjan Basu (University of Hyderabad) Jayeeta Lahiri (University of Hyderabad)
저널정보
대한금속·재료학회 Electronic Materials Letters Electronic Materials Letters Vol.16 No.3
발행연도
2020.1
수록면
231 - 238 (8page)

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Thin flm Au–SiC–Cu and Au–SiC–Pt crossbar structures of 40μmx40μm size where all three layers are 100 nm thicknesswere fabricated by lithography. Decomposition of the SiC flm is observed under the infuence of an electric feld (104–106 V/cm) applied between the Au bottom electrode and the top metal electrode (Cu or Pt) for a few cycles during the course oftesting as a resistive switching structure. This is evidenced using Raman mapping and Raman spectroscopy techniques. TheRaman spectra reveal peaks corresponding to the D and G bands of nanocrystalline graphite. Raman mapping at diferentlocations indicates that most of the graphite forms at the interface between the metal electrode and SiC. Raman mappingimages reveal the formation of graphite on the surface. This technique is simple and enables site-selective localized growthof nanocrystalline graphite which is expected to impact many nanoscale applications. It could also be extended to formgraphene at the nanoscale.

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