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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2019.1
- 수록면
- 166 - 170 (5page)
이용수
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The origin of ideality improvement in aged dinaphtho[2,3-b:2′,3′-f]thieno[3,2-b]thiophene (DNTT) transistors is explored. High-performance plastic transistors exhibit nontrivial enhancements under ambient conditions, in the light of emergingparameterization scheme that elucidates the linearity of the transfer curves. Unintentional carrier doping in exceptionallystable DNTT molecules is suggested as the major driver of the recovery of an ideal state of the functional devices, thoroughlyinvestigated by analytical decoupling of the channel and contact potentials as well as numerical fi nite-element simulationon parametric interplays.
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de Mello, J. / 2015 / Organic electronics: recent developments / ChemPhysChem 16:1099~1100
Kim, C. -H. / 2014 / Compact DC modeling of organic field-effect transistors: review and perspectives / IEEE Trans. Electron. Devices 61:278~287
Blülle, B. / 2016 / Charge transport perpendicular to the high mobility plane in organic crystals:bandlike temperature dependence maintained despite hundredfold anisotropy / Phys. Rev. B 93:035205
Bittle, E. G. / 2016 / Mobility overestimation due to gated contacts in organic field-effect transistors / Nat. Commun 7:10908
Liu, C. / 2017 / Device physics of contact issues for the overestimation and underestimation of carrier mobility in field-effect transistors / Phys. Rev. Appl 8:034020
Kim, C. -H. / 2014 / Compact DC modeling of organic field-effect transistors: review and perspectives / IEEE Trans. Electron. Devices 61:278~287
Blülle, B. / 2016 / Charge transport perpendicular to the high mobility plane in organic crystals:bandlike temperature dependence maintained despite hundredfold anisotropy / Phys. Rev. B 93:035205
Bittle, E. G. / 2016 / Mobility overestimation due to gated contacts in organic field-effect transistors / Nat. Commun 7:10908
Liu, C. / 2017 / Device physics of contact issues for the overestimation and underestimation of carrier mobility in field-effect transistors / Phys. Rev. Appl 8:034020
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