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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김윤호 (서울과학기술대학교 국방방호공학과) 김사라은경 (서울과학기술대학교 나노IT융합공학과) 박승민 (서울과학기술대학교 국방방호공학과)
저널정보
한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제28권 제2호
발행연도
2021.1
수록면
59 - 64 (6page)

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차세대 반도체 기술은 이종소자 집적화(heterogeneous integration)를 이용한 시스템-인-패키징(system-inpackage, SIP) 기술로 발전하고 있고, 저온 Cu 본딩은 SIP 구조의 성능 향상과 미세 피치 배선을 위해서 매우 중요한 기술이라 하겠다. 본 연구에서는 porous한 Ag 나노막을 이용하여 Cu 표면의 산화 방지 효과와 저온 Cu 본딩의 가능성을조사하였다. 100oC에서 200oC의 저온 영역에서 Ag가 Cu로 확산되는 것보다 Cu가 Ag로 확산되는 것이 빠르게 관찰되었고, 이는 저온에서 Ag를 이용한 Cu간의 고상 확산 본딩이 가능함을 나타내었다. 따라서 Ag 나노막을 이용한 Cu 본딩을 200oC에서 진행하였고, 본딩 계면의 전단 강도는 23.27 MPa로 측정되었다.

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참고문헌 (18)

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J. Lu / 2007 / 3D Integration : Why, What, Who, When? / Future Fab International 23:25~27 google schola A. K. Panigrahi / 2017 / Low Temperature Cu-Cu Bonding Technology in 3D Integration : An Extensive Review / J. Electron. Packag. 140(1):010801 google schola “Chapter 21 SiP and module system integration” and “Chapter 22 interconnects for 3D and 3D architectures” google schola C. S. Tan / 2008 / Overview of Wafer Level 3D ICs, in Wafer Level 3-D ICs Process Technology / Springer :1~11 google schola P. Ramm / 2012 / Cu/SiO2 hybrid bonding / John Wiley & Sons :237~259 google schola

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