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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제22권 제2호
- 발행연도
- 2021.1
- 수록면
- 140 - 145 (6page)
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The gas sensing properties were investigated for detecting various hydrochloric acid gas concentrations by fabricating the pentacene-based organic fi eld-effect transistor (FET). The pentacene thin film was simply deposited by thermal evaporation process using a shadow mask. The source/drain electrode was formed on heavily boron doped silicon substrate in the form of interdigitated electrode pattern, which showed high gas reactivity by dense patterns between electrodes. The fi eld-effect mobility, subthreshold slope, threshold voltage, on/off current ratio have been observed as 1.8 cm 2 /Vs, 0.64 V/dec, 5.6 V, 10 6 , respectively. We measured the change in the amount of drain current depending on the concentration of hydrochloric acid gas from 3 to 20 ppm. As a result, the amount of drain current increased as the concentration of hydrochloric acid gas increased. Additionally, at room temperature, we were able to observe the recovery time to its initial state about 200 s at hydrochloric acid gas concentration of 20 ppm. These pentacene-based organic FETs are expected to be able to detect various hazardous acid gases which are hardly detected by inorganic sensors due to corrosion problem in the form of arrays in the future.
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