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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.21 No.3
- 발행연도
- 2021.6
- 수록면
- 222 - 228 (7page)
- DOI
- 10.5573/JSTS.2021.21.3.222
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Impact of device geometric structures and materials is discussed to improve power efficiency of punch-through current based electro-thermal annealing (ETA). Various sensitivities that affect device temperature during ETA are extracted and compared. Then, dielectric engineering in terms of thermal conductivity and thermal isolation is suggested for better power management. Finally, time-dependent characteristics with various thicknesses of buried dielectric layer are discussed to improve annealing speed. As a result, the contents of this paper provide a guide to better application of ETA.
목차
Abstract
I. INTRODUCTION
II. EXPERIMENTAL DETAILS
III. RESULTS AND DISCUSSION
IV. CONCLUSION
REFERENCES
참고문헌 (13)
참고문헌 신청
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