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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.2
- 수록면
- 222 - 222 (1page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (4)
2021
High-Performance Anti-Ambipolar WSe₂-MoS₂ Heterotransistors
Hogeun Ahn
,
Jin-Hong Pa
,
k
한국진공학회 학술발표회초록집
2021.02
학술대회자료
Negative Differential Transconductance Device For Multi-Valued Logic based on the Tungsten Diselenide / Tungsten Ditelluride Heterojunction
Hogeun Ahn
,
Jin-Hong Pa
,
k
한국진공학회 학술발표회초록집
2021.02
학술대회자료
2020
Anti-Ambipolar Transistor based on Tungsten Diselenide / Molybdenum Disulfide (WSe₂/MoS₂) Heterojunction
Hogeun Ahn
,
Jin-Hong Pa
,
k
한국진공학회 학술발표회초록집
2020.08
학술대회자료
Negative Differential Transconductance Device For Multi-Valued Logic based on the Tungsten Diselenide / Ttungsten Ditelluride Heterojunction
Hogeun Ahn
,
Jin-Hong Pa
,
k
한국진공학회 학술발표회초록집
2020.08
학술대회자료
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MVL circuits is capable of expressing more than three states ('0', '1', and '2'). Therefore, MVL circuits need fewer number of devices to handle same amount of data, leading lower power consumption. Here, we demonstrate devices based on the tungsten diselenide/tungsten ditelluride (WSe<sub>2</sub>/WTe<sub ... 전체 초록 보기
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2020 .08
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Negative Differential Transconductance Device For Multi-Valued Logic based on the Tungsten Diselenide / Ttungsten Ditelluride Heterojunction
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2020 .08
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Negative Differential Transconductance(NDT) Device Using WS₂-Graphene-WSe₂ heterostructure
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2020 .02
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Light-triggered negative differential transconductance (NDT) graphene/WSe2 heterojunction device
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2018 .02
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Negative differential transconductance (NDT) Characteristic based on WSe2/SnS2 heterostructure
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2020 .02
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Drain bias independent negative differential transconductance (NDT) characteristic in vdW heterostructure device
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2021 .02
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A partial gate-negative differential transconductance device based on h-BN/WSe₂ structure
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2021 .02
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한국진공학회 학술발표회초록집
2019 .08
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Light-Induced Negative Differential Transconductance Based on Partial Gate
한국진공학회 학술발표회초록집
2019 .08
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Opto-negative differential transconductance device based on two-dimensional materials
한국진공학회 학술발표회초록집
2020 .02
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Multiple Negative Differential Resistance Phenomenon in Tunneling Device Based on van der Waals Heterojunction
한국진공학회 학술발표회초록집
2020 .02
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Van-der Waals Heterojunction based Light-Triggered Ternary Device and Inverter
한국진공학회 학술발표회초록집
2021 .02
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Van der Waals heterostructure based Negative Differential Resistance Devices with High Peak Current
한국진공학회 학술발표회초록집
2020 .02
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Light-Induced Negative Differential Transconductance Based on Partially Defined Metal Gate
한국진공학회 학술발표회초록집
2020 .02
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Phosphorene/Hafnium disulfide heterojunction-based negative differential resistance device
한국진공학회 학술발표회초록집
2021 .02
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van der Waals heterojunction based negative differential resistance oscillator
한국진공학회 학술발표회초록집
2018 .02
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Van-der-Waals heterostructures for reconfigurable negative differential resistance phenomenon
한국진공학회 학술발표회초록집
2021 .02
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Anti-Ambipolar Transistor based on Tungsten Diselenide / Molybdenum Disulfide (WSe₂/MoS₂) Heterojunction
한국진공학회 학술발표회초록집
2020 .08
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Controllable Negative Differential Resistance (NDR) Phenomenon based on Van-der Waals and Ferroelectric Materials
한국진공학회 학술발표회초록집
2021 .02
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High-Performance Anti-Ambipolar WSe₂-MoS₂ Heterotransistors
한국진공학회 학술발표회초록집
2021 .02
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