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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Xiangjiang Li (Nanyang Institute of Technology) Teresa Oh (Cheongju University)
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology Applied Science and Convergence Technology Vol.29 No.6
발행연도
2020.11
수록면
195 - 199 (5page)

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We found that transistors consisting of the gate insulation film exhibit bi-directional transfer characteristics, and when the gate voltage varies from negative to positive, drain current represents the values of positive and negative current, respectively. If the gate voltage is 0 V, it is confirmed that tunneling occurs and the resistance is zero. The drain voltage is low, the resistance is reduced. As the drain voltage increases, the resistance increases. We observed a shift in the I<SUB>DS</SUB>-V<SUB>GS</SUB> curve. The current generated through the gate insulation is the surface current caused by the antimatters, and quantum anomalous Hall effect of I<SUB>DS</SUB>-V<SUB>GS</SUB> transmission characteristics was observed even in the absence of applied magnetic field. It is shown that R = 0 is a phase-isolator with excellent insulation properties of the SiOC thin film. The reason for the increased conductivity of the 100 ℃ heat-treated thin film is due to the spin current, and the thin films at other temperature is due to the surface current.

목차

ABSTRACT
1. Introduction
2. Experimental details
3. Results and discussion
4. Conclusions
References

참고문헌 (16)

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