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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김승환 (고려대학교)
저널정보
대한전기학회 전기의세계 전기의 세계 제69권 제11호
발행연도
2020.11
수록면
47 - 50 (4page)

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반도체 기술은 수십년간 발전을 거듭하며, 현재 10 nm 이하의 초미세 공정이 가능하게 되었다. 반도체 소자를 이루는 많은 요소 중에서 소스/드레인 컨택영역은 소자의 성능에 직결되기 때문에 단연 중요한 단위 공정 기술이다. 그렇기에 컨택에 대한 많은 기술의 변화와 발전이 있었지만, 초미세화로 인해 기술 발전이 더뎌지고 있는 현재의 난관을 극복하기 위해 새로운 기술이 필요한 시점이다.

목차

요약
Abstract
1. 서론
2. 평면 구조의 MOSFET 소자에서의 컨택 기술
3. 3차원 구조의 FinFET 소자에서의 컨택 기술 및 향후 발전 방향
4. 결론
참고문헌

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