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자료유형
학술저널
저자정보
송철규 (요업기술원 나노소재팀) 김창열 (요업기술원 나노소재팀) 허승헌 (요업기술원 나노소재팀) 류도형 (요업기술원 나노소재팀) 좌용호 (한양대학교 정밀화학공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제17권 제7호
발행연도
2007.1
수록면
376 - 381 (6page)

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Fluorine-doped tin oxide (FTO) thin film was coated on aluminosilicate glass at $450^{\circ}C$ by spray pyrolysis method. In the range of 0-2.7 molar ratio of F/Sn, the variations of electrical conductivity and visible light transmission were investigated. At the F/Sn ratio of 1.765, the film showed the lowest electrical resistivity value of $3.0{\times}10^{-4}{\Omega}\;cm$, the highest carrier concentration of $2.404{\times}10^{21}/cm^3$, and about $8\;cm^2/V{\cdot}sec$ of electronic mobility. The FTO film showed a preferred orientation of (200) plane parallel to the substrate. X-ray photoelectron spectroscopy analysis results indicated that the contents of $Sn^{4+}-O$ bonding are the highest at 1.765 of F/Sn molar ratio.
#Fluorine doped tin oxide #Transparent conducting oxide #Spray pyrolysis deposition

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