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자료유형
학술저널
저자정보
Kim, Hyung-Jun (Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology [POSTECH])
저널정보
한국결정학회 한국결정학회지 한국결정학회지 제16권 제2호
발행연도
2005.1
수록면
89 - 101 (13page)

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Among many material processing related issues for successful scaling down of devices for the next 10 years or so, the advanced gate stack and interconnect technology are two most critical research areas, which need technical innovation. The introduction of new metallic films and appropriate processing technologies are required more than ever. Especially, as the device downscaling continues well into sub 50 nm regime, the paradigm for metal nano film deposition technique research has been shifted to high conformality, low growth temperature, high quality with uniformity at large area wafers. Regarding these, ALD has sparked a lot of interests for a number of reasons. The process is intrinsically atomic in nature, resulting in the controlled deposition of films in sub-monolayer units with excellent conformality. In this paper, the overview on the current issues and the future trends in device processing technologies related to metal nano films as well as the R&D trends in these applications will be discussed. The focus will be on the applications for metal gate, capacitor electrode for DRAM, and diffusion barriers/seed layers for Cu interconnect technology.

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