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자료유형
학술저널
저자정보
Shin, Hyun-Soo (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University) Ahn, Byung-Du (LCD R&D Center, Samsung Electronics Co., Ltd.) Rim, You-Seung (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University) Kim, Hyun-Jae (School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University)
저널정보
한국정보디스플레이학회 Journal of information display Journal of information display 제12권 제4호
발행연도
2011.1
수록면
209 - 212 (4page)

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The threshold voltage shift (${\Delta}V_{th}$) under positive-voltage bias stress (PBS) of InGaZnO (IGZO) thin-film transistors (TFTs) annealed at different temperatures in air was investigated. The dramatic degradation of the electrical performance was observed at the sample that was annealed at $700^{\circ}C$. The degradation of the saturation mobility (${\mu}_{sat}$) resulted from the diffusion of indium atoms into the interface of the IGZO/gate insulator after crystallization, and the degradation of the subthreshold slope (S-factor) was due to the increase in the interfacial and bulk trap density. In spite of the degradation of the electrical performance of the sample that was annealed at $700^{\circ}C$, it showed a smaller ${\Delta}V_{th}$ under PBS conditions for $10^4$ s than the samples that were annealed at $500^{\circ}C$, which is attributed to the nanocrystal-embedded structure. The sample that was annealed at $600^{\circ}C$ showed the best performance and the smallest ${\Delta}V_{th}$ among the fabricated samples with a ${\mu}_{sat}$ of $9.38cm^2/V$ s, an S-factor of 0.46V/decade, and a ${\Delta}V_{th}$ of 0.009V, which is due to the passivation of the defects by high thermal annealing without structural change.
#annealing #IGZO #threshold voltage shift #positive-voltage bias stress

목차

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참고문헌 (20)

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H.Q. Chiang / 2005 / Appl. Phys. Lett 86:013503 google schola C.-J. Kim / 2009 / Appl. Phys. Lett 98:252103 google schola D.-H. Cho / 2008 / Appl. Phys. Lett 93:142111 google schola K. Nomura / 2004 / Nature 432:488 google schola Hsing-Hung Hsieh / 2010 / Development of IGZO TFTs and Their Applications to Next-Generation Flat-Panel Displays / Journal of Information Display 11(4):160~164 google schola

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