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Jung, Hyun-Seung (MEMS Display and Sensor Laboratory, School of Electronic Engineering, Soongsil University) Choi, Keun-Yeong (MEMS Display and Sensor Laboratory, School of Electronic Engineering, Soongsil University) Lee, Ho-Jin (MEMS Display and Sensor Laboratory, School of Electronic Engineering, Soongsil University)
저널정보
한국정보디스플레이학회 Journal of information display Journal of information display 제13권 제1호
발행연도
2012.1
수록면
51 - 54 (4page)

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In this study, the bias-temperature stress and current-temperature stress induced by the electrical stabilities of half-Corbino hydrogenated-amorphous-silicon (a-Si:H) thin-film transistors (TFTs) with different gate electrode geometries fabricated on the same substrate were examined. The influence of the gate pattern on the threshold voltage shift of the half-Corbino a-Si:H TFTs is discussed in this paper. The results indicate that the half-Corbino a-Si:H TFT with a patterned gate electrode has enhanced power efficiency and improved aperture ratio when compared with the half-Corbino a-Si:H TFT with an unpatterned gate electrode and the same source/drain electrode geometry.

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