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저자정보
Hong, Seul Ki (Department of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology) Song, Seung Min (Department of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology) Sul, Onejae (Department of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology) Cho, Byung Jin (Department of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology)
저널정보
한국탄소학회 Carbon letters Carbon letters 제14권 제3호
발행연도
2013.1
수록면
171 - 174 (4page)

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The high quality contact between graphene and the metal electrode is a crucial factor in achieving the high performance of graphene transistors. However, there is not sufficient research about contact resistance reduction methods to improve the junction of metal-graphene. In this paper, we propose a new method to decrease the contact resistance between graphene and metal using directly grown graphene over a metal surface. The study found that the grown graphene over copper, as an intermediate layer between the copper and the transferred graphene, reduces contact resistance, and that the adhesion strength between graphene and metal becomes stronger. The results confirmed the contact resistance of the metal-graphene of the proposed structure is nearly half that of the conventional contact structure.
#graphene #contact resistance #chemical vapor deposition

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Novoselov KS / 2004 / Electric field effect in atomically thin carbon films / Science 306:666 google schola Schedin F / 2007 / Detection of individual gas molecules adsorbed on graphene / Nat Mater 6:652 google schola Murali R / 2009 / Breakdown current density of graphene nanoribbons / Appl Phys Lett 94:243114 google schola Lee CH / 2009 / Record-high electron mobility in Ge n-MOSFETs exceeding Si universality / IEEE International Electron Devices Meeting, Baltimore, MD 1 google schola Farmer DB / 2009 / Utilization of a buffered dielectric to achieve high field-effect carrier mobility in graphene transistors / Nano Lett 9:4474 google schola

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