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자료유형
학술저널
저자정보
Simonyan, Arpine K. (Department of Physics of Semiconductors and Microelectronics, Yerevan State University) Gambaryan, Karen M. (Department of Physics of Semiconductors and Microelectronics, Yerevan State University) Aroutiounian, Vladimir M. (Department of Physics of Semiconductors and Microelectronics, Yerevan State University)
저널정보
테크노프레스 Advances in nano research Advances in nano research 제5권 제4호
발행연도
2017.1
수록면
303 - 311 (9page)

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The continuum elasticity model is applied to investigate quantitatively the growth features and nucleation mechanism of quantum dots, nanopits, and joint QDs-nanopits structures in GaInAlN quasyternary systems. We have shown that for GaInAlN material system at the critical strain of ${\varepsilon}^*=0.039$ the sign of critical energy and volume is changed. We assume that at ${\varepsilon}={\varepsilon}^*$ the mechanism of the nucleation is changed from the growth of quantum dots to the nucleation of nanopits. Obviously, at small misfit (${\varepsilon}$ < ${\varepsilon}^*$), the bulk nucleation mechanism dominates. However, at ${\varepsilon}$ > ${\varepsilon}^*$, when the energy barrier becomes negative as well as a larger misfit provides a low-barrier path for the formation of dislocations, the nucleation of pits becomes energetically preferable. The free energy of mixing for $Ga_{1-x-y}In_xAl_yN$ quasiternary system was calculated and studied and its 3D sketch was plotted.
#quantum dot #nanopit #strain energy #Gibbs free energy #immiscibility gap

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