Comparative Study on Interfacial Traps in Organic Thin-Film Transistors According to Deposition Methods of Organic Semiconductors

Park, Jae-Hoon; Bae, Jin-Hyuk

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자료유형: 학술저널

저자정보: Park, Jae-Hoon (Department of Electronic Engineering, Hallym University) Bae, Jin-Hyuk (School of Electronics Engineering, Kyungpook National University)

저널정보: 한국유화학회 한국유화학회지 한국응용과학기술학회지 제30권 제2호

발행연도: 2013.1

수록면: 290 - 296 (7page)

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2013

Comparative Study on Interfacial Traps in Organic Thin-Film Transistors According to Deposition Methods of Organic Semiconductors

Pa , k , Jae-Hoon 외 2명 한국유화학회지 2013.01 학술저널

2006

Preparation of $PMMA-co-MMA/TiO_2$ Composite Film by Sol-Gel Process and Its Application to OTFTs as a Gate Insulator

Pa , k , Jae-Hoon 외 10명 한국정보디스플레이학회 International Meeting 2006.01 학술대회자료

2005

Characteristics of Pentacene Organic Thin-Film Transistors with $PVP-TiO_2$ as a Gate Insulator

Pa , k , Jae-Hoon 외 10명 한국정보디스플레이학회 International Meeting 2005.01 학술대회자료

2003

Effects of the Deposition Rate of Pentacene Film on the Electrical Characteristics of Organic Thin-film Transistors

Pa , k , Jae-Hoon 외 8명 한국정보디스플레이학회 International Meeting 2003.01 학술대회자료

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We analysed interfacial traps in organic thin-film transistors (TFTs) in which pentacene and 6,13-bis(triisopropylsilylethynyl)-pentacene (TIPS-pentacene) organic semiconductors were deposited by means of vacuum-thermal evaporation and drop-coating methods, respectively. The thermally-deposited pentacene film consists of dentritic grains with the average grain size of around 1 ？m, while plate-like crystals over a few hundred microns are observed in the solution-processed TIPS-pentacene film. From the transfer characteristics of both TFTs, lower subthreshold slope of 1.02 V/decade was obtained in the TIPS-pentacene TFT, compared to that (2.63 V/decade) of the pentacene transistor. The interfacial trap density values calculated from the subthreshold slope are about $3.4{\times}10^{12}/cm^2$ and $9.4{\times}10^{12}/cm^2$ for the TIPS-pentacene and pentacene TFTs, respectively. Herein, lower subthreshold slope and less interfacial traps in TIPS-pentacene TFTs are attributed to less domain boundaries in the solution-processed TIPS-pentacene film.

#transistor #organic semiconductor #interface trap #vacuum deposition #solution process

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이 논문의 저자 정보

Park, Jae-Hoon

소속기관 Department of Electronic Engineering, Hallym University

주요연구분야 복합학 > 과학기술학

논문수 5 이용수 6

Bae, Jin-Hyuk

소속기관 School of Electronics Engineering, Kyungpook National University

주요연구분야 복합학 > 과학기술학

논문수 2 이용수 1

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