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자료유형
학술저널
저자정보
허용정 (한국기술교육대학교 메카트로닉스공학부) 이건영 (한국기술교육대학교 메카트로닉스공학부)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체및디스플레이장비학회지 반도체및디스플레이장비학회지 제7권 제2호
발행연도
2008.1
수록면
35 - 38 (4page)

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This study shows the improvement of PR-Ashing rates in semi-conductor process using Atmospheric Plasma. Taguchi method is used to improve Ashing rates of photo-resist that is spread on the surface of a wafer. Improvement of Ashing rates is acquired through the decision of the effective factors and suitable combination of the factors. The results show the contribution rate of each factor and the effectiveness of Plasma for PR-Ashing process in this system.
#Atmospheric Plasma #Ashing rate #DBD #Photo resist

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