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학술저널
저자정보
진선문 (선문대학교 전자공학과) 안철우 (선문대학교 전자공학과) 조남인 (선문대학교 전자공학과) 남형진 (선문대학교 전자공학과)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 반도체디스플레이기술학회지 제10권 제4호
발행연도
2011.1
수록면
43 - 46 (4page)

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In this study, we investigated the effects of the post Ar plasma treatment at different RF powers for various durations on electrical, structural, and optical properties of relatively thin Al-doped zinc oxide films. The sheet resistance was observed to decrease rapidly for the first 5min, beyond which the resistance apparently saturated. As the RF power increased, the grain size and the interplanar distance of (002) planes also increased. The observed decrease in sheet resistance was stated to be a consequence of Al and/or Zn interstitials as well as grain growth. It was also found that Ar plasma treatment increased the transmittance of Al-doped zinc oxide films in most of the visible light range below the blue light.

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