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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
강태영 (가천대학교 전기공학과) 김경환 (가천대학교 전기공학과)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체디스플레이기술학회지 반도체디스플레이기술학회지 제11권 제4호
발행연도
2012.1
수록면
19 - 23 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2013

비냉각 적외선 검출기용 비정질 실리콘 마이크로 볼로미터의 제작 및 특성에 관한 연구
강태영 전기전자공학과 2013.01 학위논문

2012

PECVD 이용한 비정질 실리콘형 마이크로 볼로미터 특성
강태영 ,  김경환 반도체디스플레이기술학회지 2012.01 학술저널

초록· 키워드

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We report microbolometer characteristic with n-type and p-type amorphous silicon thin film. The n-type and p-type amorphous silicon thin films were made by PECVD. The electrical properties of n-type and p-type a-Si:H thin films were investigated as a function of doping gas flow rate. The doping gas used $B_2H_6/Ar$ (1:9) and $PH_3/Ar$ (1:9). In general, the conductivity of doping a-Si:H thin films increased as doping gas increase but the conductivity of a-Si:H thin films decreased as the doping gas increase because doping gas concentration increase led to dilution gas (Ar) increase as the same time. We fabricated an amorphous silicon microbolometer using surface micromachining technology. The fabricated microbolometer had a negative TCR of 2.3%. The p-type microbolometer had responsivity of $5{\times}10^4V/W$ and high detectivity of $3{\times}10^8cm(Hz)^{1/2}/W$. The p-type microbolometer had more detectivity than n-type for less noise value.
#Amorphous silicon #PECVD #Microbolometer #Infrared #Uncooled IR Detector #TCR #Detectivity

목차

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