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본 논문에서는 간단한 회로구조와 높은 효율을 갖는 스위칭 방식의 E급 주파수 체배기에 대한 연구를 수행하였다. 주파수 체배는 능동소자의 비선형성에 의해 발생하는데 본 논문에서는 FET 능동소자를 간단한 스위치 및 기생소자 성분 모델로 근사하여 특성을 해석하고자 하였다. FET를 입력에 의해 동작하는 스위치 및 기생소자로 모델링하고 E급 주파수 체배기의 정합소자 값을 유도하였다. ADS시뮬레이터를 이용하여 출력 전압과 전류 파형 및 효율을 시뮬레이션하고 기생성분에 따른 변화를 연구하였다. 기생 커패시턴스, 저항, 인덕턴스에 의한 영향을 시뮬레이션하였으며 입력주파수 2.9GHz, 바이어스전압 2V일 때, 출력주파수 5.8GHz에서 기생커패시턴스가 0pF에서 1pF으로 변화함에 따라 드레인효율은 98%에서 28%로 감소하여 기생커패시턴스 CP가 FET의 기생 성분 중 가장 큰 영향을 끼친 것을 확인했다.
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Robert E. Zulinski / 1986 / Idealized operation of class-E frequency multiplier / IEEE Trans. Circuits Syst CAS-33(12):1209~1218
T. Mury / 2005 / Series-L/parallel-tuned comparison with shunt-C/series-tuned class-E power amplifier / IEEE Proc.-Circuits Devices Syst 152(6)
T. Mury / 2007 / Even order harmonic series-L/parallel-tuned class-E frequency multiplier / IEEE Trans. Circuits Syst 54(11)
A. V. Grebennikov / 2004 / Load network design technique for switched-mode tuned class E power amplifiers / High Frequency Electron 3(7):18~32
R. E. Zulinski / 1986 / Performance evaluation of class E frequency multipliers / IEEE Trans. Circuits Syst CAS-33:343~346
T. Mury / 2005 / Series-L/parallel-tuned comparison with shunt-C/series-tuned class-E power amplifier / IEEE Proc.-Circuits Devices Syst 152(6)
T. Mury / 2007 / Even order harmonic series-L/parallel-tuned class-E frequency multiplier / IEEE Trans. Circuits Syst 54(11)
A. V. Grebennikov / 2004 / Load network design technique for switched-mode tuned class E power amplifiers / High Frequency Electron 3(7):18~32
R. E. Zulinski / 1986 / Performance evaluation of class E frequency multipliers / IEEE Trans. Circuits Syst CAS-33:343~346
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