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학술저널
저자정보
권찬호 (강원대학교 화학과) 신명숙 (강원대학교 화학과) 황현석 (강원대학교 화학과) 김홍래 (강원대학교 화학과) 김성식 (국방과학연구소) 박민규 (국방과학연구소)
저널정보
한국군사과학기술학회 한국군사과학기술학회지 한국군사과학기술학회지 제15권 제2호
발행연도
2012.1
수록면
201 - 207 (7page)

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Pulsed lasers at the 613 nm and 1064 nm wavelengths on nanoseconds have been utilized to characterize the damage on Si photodiode exposed to intense illumination. Morphological damages and structural changes at sites on the photodiode irradiated during microseconds of laser pulses were analyzed by FE-SEM images and XRD patterns, respectively. The removal of oxide coating, ripple, melting marks, ridges, and crater on photodiodes were definitely observed in order of increasing the pulse intensities generated above the damage threshold. Then, the degradation in photosensitivity of the Si photodiode irradiated by high power density pulses was measured as a function of laser irradiation time at the various wavelengths. The free charge carrier and thermal diffusion mechanisms could have been invoked to characterize the damage. The relative photosensitivity data calculated using the thermal diffusion model proposed in this paper have been compared with the experimental data irradiated above the damage threshold.

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