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자료유형
학술저널
저자정보
최길웅 (광운대학교) 김형종 (광운대학교) 최진주 (광운대학교) 최준호 (국방과학연구소)
저널정보
한국군사과학기술학회 한국군사과학기술학회지 한국군사과학기술학회지 제13권 제6호
발행연도
2010.1
수록면
1,071 - 1,079 (9page)

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This paper describes the design and fabrication of a high-efficiency GaN HEMT(Gallium Nitride High-electron Mobility Transistor) Pallet power amplifier module for S-band phased array radar applications. Pallet amplifier module has a series 2-cascaded power amplifier and the final amplification-stage consists of balanced GaN HEMT transistor. In order to achieve high efficiency characteristic of pallet power amplifier module, all amplifiers are designed to the switching-mode amplifier. We performed with various PRF(Pulse Repetition Frequency) of 1, 10, 100 and 1000Hz at a fixed pulse width of $100{\mu}s$. In the experimental results, the output power, gain, and drain efficiency(${\eta}_{total}$) of the Pallet power amplifier module are 300W, 33dB, and 51% at saturated output power of 2.9GHz, respectively.
#질화갈륨 고전자이동도 트랜지스터 #고효율 #Class-E 전력증폭기 #Class-F 전력증폭기

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B. A. Kopp / 2002 / Transmit/receive Modules / IEEE Trans. Microwave Theory and Tech 50(3):827~834 google schola H. Hommel / 2004 / Current Status of Airborne Active Phased Array(AESA)Radar Systems and Future Trends / European Radar Conference Digest :12~123 google schola M. Adolph / 2005 / Hight-precision Temperature Drift Compensated T/RModule for Satellite Based SAR Applications / European Microwave Conference Proceedings :813~816 google schola S.C.Cripps / 2006 / RF Power Amplifiers for Wireless Communications / Artech House google schola A. Grebennikov / 2007 / Switch Mode RF Power Amplifiers / Newnes google schola

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