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저자정보
이진경 (연세대학교 정보저장기기연구센터) 정안식 (연세대학교 정보저장기기연구센터) 신종현 (연세대학교 정보저장기기연구센터) 김주호 (Tera Storage lab, DM R&D Center, Samsung Electronics Co., Ltd.) 이경근 (Tera Storage lab, DM R&D Center, Samsung Electronics Co., Ltd.) 김중곤 (Tera Storage lab, DM R&D Center, Samsung Electronics Co., Ltd.) 박노철 (Tera Storage lab, DM R&D Center, Samsung Electronics Co., Ltd.) 박영필 (Tera Storage lab, DM R&D Center, Samsung Electronics Co., Ltd.)
저널정보
정보저장시스템학회 정보저장시스템학회논문집 정보저장시스템학회논문집 제4권 제1호
발행연도
2008.1
수록면
1 - 5 (5page)

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Super-resolution near-field structure (super-RENS) technology and solid immersion lens (SIL) based near-field (NF) technology have been expected as promising approaches to increase data capacity or areal density of optical disc. Super-RENS technology has been studied until now using mainly numerical aperture (NA) of 0.85 far-field optical system and possibility of tangential data density increment have been presented. NF technology has been studied with NA over 1 and presented demonstration of removable performance. To achieve much higher density, approach to increase NA of super-RENS by NF technology (Near-Field Super-Resolution, NFSR) can be a candidate and we think this technology would be advantageous compared to wavelength reduction or much higher NA increment of NF technology or much smaller effective optical spot size reduction of far-field super-resolution technology. In this paper we present readout result of ROM media having monotone pits using NF optical system with wavelength of 405nm and NA of 1.84 surface type SIL. GeSbTe material was used for super resolution active layer and pit length is 37.5nm which is shorter than resolution limit 55nm. We present the feasibility of NFSR technology by confirming the CNR threshold according to readout power (Pr) and CNR 33dB over threshold Pr.
#초해상 #근접장 #Near Field Super Resolution #NFSR #Super Resolution #Super-RENS #NFR #Near Field #Solid Immersion Lens #SIL

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