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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
임고운 (스카이다이아몬드[주]) 송길용 (스카이다이아몬드[주]) 홍주화 (충북대학교 신소재공학과)
저널정보
한국열처리공학회 열처리공학회지 열처리공학회지 제30권 제5호
발행연도
2017.1
수록면
222 - 226 (5page)

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Recently sapphire wafer has expected as smart phone cover material, however, brittle nature of sapphire needed edge grinding processes to prevent early initiation of cracks. Electro-deposited multi-layered groove tools with $35{\mu}m$ diamond particles were studied for sapphire wafer grinding. Solid particle flow behaviors in agitated electrolyte was studied using PIV(Particle Image Velocimetry), and uniform particle distribution in Ni bond were obtained when agitating impeller was located lower part of electrolyte. Hardness values of $400{\pm}50Hv$ were maintained for retention of diamond particles in electro-deposited bond layer. Sapphire wafer edge grinding test was carried out and multi-layered $160{\mu}m$ thick diamond tool showed much greater grinding capabilities up to 2000 sapphire wafers than single-layered $50{\mu}m$ thick diamond electro-deposited tools of 420 wafers. The reason why 3 times thicker multi-layered tools than single-layered tools showed 5 times longer tool lives in grinding processes was attributed to self-dressed new diamond particles in multi-layered tools, and multi-layered diamond tools could be promising for sapphire grinding.

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