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저자정보
손봉균 (부경대학교 대학원 인쇄공학과) 신준하 (부경대학교 대학원 인쇄공학과) 배재민 (부경대학교 대학원 인쇄공학과) 이재범 (부경대학교 공과대학 이미지시스템공학과) 김종수 (부경대학교 공과대학 이미지시스템공학과) 이상남 (부경대학교 공과대학 인쇄정보공학과)
저널정보
한국인쇄학회 한국인쇄학회지 한국인쇄학회지 제29권 제1호
발행연도
2011.1
수록면
23 - 33 (11page)

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This experimental focus to characterize luminescence properties related to CNT (Carbon Nano Tube) element dispersedly implanted in ZnS-based phosphor thin film panel fabricated by a screen printing method. More specifically FE-SEM measurements, L-V(Luminescence vs. Voltage) and photo luminescence were carried out to determine an optimum value of CNT concentration and film thickness for the thin film structure of CNT-ZnS:(Cu, Al) by the screen printing method. We confirmed that an optimum value of CNT concentration in the ZnS:(Cu, Al) film panel is about 0.75 wt% resulting that the electric conductivity is 1.6 times higher than that of pure CNT sample and showing that the luminescence intensity is increasing until the optimum concentration. Clearly, CNT is presenting in the luminescence process providing a pathway for the creation of hot electron and a channel for the electron-hole recombination but overly inserted CNT may hinder to produce the hot electron for making an avalanching process. In case of the overly doped CNT 1.0 wt% in the ZnS-based phosphor, the luminescence intensity is decreasing although the electric conductivity is exponentially increasing. Based on these results, we realized that hot electron occurred by the external electric field or exciton arose by the external photon source are reduced dramatically over the critical value of CNT concentration because CNT element provide various isolated residues in the composites of ZnS based phosphor rather than pathway or channel for the D-A(Donnor to Acceptor) pair transition or the radiative recombination of electron-hole.

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