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엄누시아 (한양대학교 융합화학공학과) 임효령 (한양대학교 융합화학공학과) 최요민 (한양대학교 융합화학공학과) 정영훈 (한국세라믹기술원 전자소재융합본부 지능형전자부품팀) 조정호 (한국세라믹기술원 전자소재융합본부 지능형전자부품팀) 좌용호 (한양대학교 융합화학공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제24권 제11호
발행연도
2014.1
수록면
573 - 577 (5page)

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The existing metal getters are invariably covered with thin oxide layers in air and the native oxide layer must be dissolved into the getter materials for activation. However, high temperature is needed for the activation, which leads to unavoidable deleterious effects on the devices. Therefore, to improve the device efficiency and gas-adsorption properties of the device, it is essential to synthesize the getter with a method that does not require a thermal activation temperature. In this study, getter material was synthesized using palladium oxide (PdOx) which can adsorb $H_2$ gas. To enhance the efficiency of the hydrogen and moisture absorption, a porous layer with a large specific area was fabricated by an etching process and used as supporting substrates. It was confirmed that the moisture-absorption performance of the $SiO_2/Si$ was characterized by water vapor volume with relative humidity. The gas-adsorption properties occurred in the absence of the activation process.

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