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강승희 (충남대학교 나노공학부 재료공학과) 키란쿠마르 (충남대학교 나노공학부 재료공학과) 손기철 (충남대학교 나노공학부 재료공학과) 허훈회 (충남대학교 나노공학부 재료공학과) 김경현 (한국전자통신연구원) 허철 (한국전자통신연구원) 김의태 (충남대학교 나노공학부 재료공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제18권 제7호
발행연도
2008.1
수록면
379 - 383 (5page)

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We report on the light-emitting diode (LED) characteristics of core-shell CdSe/ZnS nanocrystal quantum dots (QDs) embedded in $TiO_2$thin films on a Si substrate. A simple p-n junction could be formed when nanocrystal QDs on a p-type Si substrate were embedded in ${\sim}5\;nm$ thick $TiO_2$ thin film, which is inherently an n-type semiconductor. The $TiO_2$ thin film was deposited over QDs at $200^{\circ}C$ using plasma-enhanced metallorganic chemical vapor deposition. The LED structure of $TiO_2$/QDs/Si showed typical p-n diode currentvoltage and electroluminescence characteristics. The colloidal core-shell CdSe/ZnS QDs were synthesized via pyrolysis in the range of $220-280^{\circ}C$. Pyrolysis conditions were optimized through systematic studies as functions of synthesis temperature, reaction time, and surfactant amount.

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