실리콘 이종 접합 태양 전지 특성에 대한 ZnO:Al과 비정질 실리콘 계면 반응의 영향

강민구; 탁성주; 이종한; 김찬석; 정대영; 이정철; 윤경훈; 김동환

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자료유형: 학술저널

저자정보: 강민구 (고려대학교 신소재공학과) 탁성주 (고려대학교 신소재공학과) 이종한 (고려대학교 신소재공학과) 김찬석 (고려대학교 신소재공학과) 정대영 (한국에너지기술연구원 태양광연구단) 이정철 (한국에너지기술연구원 태양광연구단) 윤경훈 (한국에너지기술연구원 태양광연구단) 김동환 (고려대학교 신소재공학과)

저널정보: 한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제21권 제2호

발행연도: 2011.1

수록면: 120 - 124 (5page)

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연구결과

이 논문의 연구 히스토리 (4)

2016

박형 결정질 실리콘 태양전지 기술 동향

강민구 , 최선호 , 장보윤 외 3명 한국태양광발전학회지 2016.06 학술저널

2011

실리콘 이종 접합 태양 전지 특성에 대한 ZnO:Al과 비정질 실리콘 계면 반응의 영향

강민구 , 탁성주 , 이종한 외 5명 한국재료학회지 2011.01 학술저널

2007

비정질/결정질 실리콘 이종접합 태양전지 특성에 있어 ZnO 투명전도산화막의 영향

강민구 , 옥영우 , 탁성주 외 3명 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 2007.01 학술대회자료

실리콘 이종접합 태양전지에서의 산화막과 질화막의 영향에 관한 연구

강민구 , 탁성주 , 이정철 외 4명 한국재료학회 학술발표대회 2007.01 학술대회자료

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Silicon heterojunction solar cells have been studied by many research groups. In this work, silicon heterojunction solar cells having a simple structure of Ag/ZnO:Al/n type a-Si:H/p type c-Si/Al were fabricated. Samples were fabricated to investigate the effect of transparent conductive oxide growth conditions on the interface between ZnO:Al layer and a-Si:H layer. One sample was deposited by ZnO:Al at low working pressure. The other sample was deposited by ZnO:Al at alternating high working pressure and low working pressure. Electrical properties and chemical properties were investigated by light I-V characteristics and AES method, respectively. The light I-V characteristics showed better efficiency on sample deposited by ZnO:Al by alternating high working pressure and low working pressure. Atomic concentrations and relative oxidation states of Si, O, and Zn were analyzed by AES method. For poor efficiency samples, Si was diffused into ZnO:Al layer and O was diffused at the interface of ZnO:Al and Si. Differentiated O KLL spectra, Zn LMM spectra, and Si KLL spectra were used for interface reaction and oxidation state. According to AES spectra, sample deposited by high working pressure was effective at reducing the interface reaction and the Si diffusion. Consequently, the efficiency was improved by suppressing the SiOx formation at the interface.

#silicon heterojunction solar cell #interface reaction #amorphous silicon #ZnO

참고문헌 (12)

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J. Zhao / 1998 / Appl. Phys. Lett 73:1991

D. Rose / 2006 / in Proceedings of IEEE 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion :2018

T. Sawada / 1994 / in Proceedings of IEEE 1st World Conference on Photovoltaic Energy Conversion :1219

H. M. Branz / 2008 / Thin Solid Films 516(5):743

M.Schmidt / 2007 / Thin Solid Films 515(19):7475