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김현호 (고려대학교 마이크로/나노 시스템) 김성탁 (고려대학교 신소재공학과) 박성은 (고려대학교 신소재공학과) 송주용 (고려대학교 신소재공학과) 김영도 (고려대학교 신소재공학과) 탁성주 (고려대학교 신소재공학과) 권순우 (대한제당주식회사 중앙연구소) 윤세왕 (대한제당주식회사 중앙연구소) 손창식 (신라대학교 전자재료공학과) 김동환 (고려대학교 마이크로/나노 시스템)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제21권 제5호
발행연도
2011.1
수록면
243 - 249 (7page)

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To reduce manufacturing costs of crystalline silicon solar cells, silicon wafers have become thinner. In relation to this, the properties of the aluminium-back surface field (Al-BSF) are considered an important factor in solar cell performance. Generally, screen-printing and a rapid thermal process (RTP) are utilized together to form the Al-BSF. This study evaluates Al-BSF formation on a (111) textured back surface compared with a (100) flat back surface with variation of ramp up rates from 18 to $89^{\circ}C$/s for the RTP annealing conditions. To make different back surface morphologies, one side texturing using a silicon nitride film and double side texturing were carried out. After aluminium screen-printing, Al-BSF formed according to the RTP annealing conditions. A metal etching process in hydrochloric acid solution was carried out to assess the quality of Al-BSF. Saturation currents were calculated by using quasi-steady-state photoconductance. The surface morphologies observed by scanning electron microscopy and a non-contacting optical profiler. Also, sheet resistances and bulk carrier concentration were measured by a 4-point probe and hall measurement system. From the results, a faster ramp up during Al-BSF formation yielded better quality than a slower ramp up process due to temperature uniformity of silicon and the aluminium surface. Also, in the Al-BSF formation process, the (111) textured back surface is significantly affected by the ramp up rates compared with the (100) flat back surface.

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