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자료유형
학술저널
저자정보
Lee, Jae-Bok (MD Process Development Team, LCD Business Samsung Electronics) Park, Sun (MD Process Development Team, LCD Business Samsung Electronics) Heo, Seong-Kweon (MD Process Development Team, LCD Business Samsung Electronics) You, Chun-Ki (MD Process Development Team, LCD Business Samsung Electronics) Min, Hoon-Kee (MD Process Development Team, LCD Business Samsung Electronics) Kim, Chi-Woo (MD Process Development Team, LCD Business Samsung Electronics)
저널정보
한국정보디스플레이학회 Journal of information display Journal of information display 제7권 제3호
발행연도
2006.1
수록면
1 - 4 (4page)

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2.22-inch qVGA $(240{\times}320)$ amorphous silicon thin film transistor liquid active matrix crystal display (a-Si TFT-AMLCD) panel has been successfully demonstrated employing a 2.5 um fine-patterning technology by a wet etch process. Higher resolution 2.22-inch qVGA LCD panel with an aperture ratio of 58% can be fabricated as the 2.5 um fine pattern formation technique is integrated with high thermal photo-resist (PR) development. In addition, a novel concept of unique a-Si TFT process architecture, which is advantageous in terms of reliability, was proposed in the fabrication of 2.22-inch qVGA LCD panel. Overall results show that the 2.5 um fine-patterning is a considerably significant technology to obtain higher aperture ratio for higher resolution a-Si TFT-LCD panel realization.

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