Surface Treatment Effect on Electrical Characteristics of Ink-Jet Printed Pentacene OTFTs Employing Suspended Source/Drain Electrode

Park, Young-Hwan; Kim, Yong-Hoon; Kang, Jung-Won; Oh, Myung-Hwan; Han, Jeong-In

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저자정보: Park, Young-Hwan (Information Display Research Center, Korea Electronics Technology Institute, Dept. of Electronics and Computer Engineering, Dankook University) Kim, Yong-Hoon (Information Display Research Center, Korea Electronics Technology Institute) Kang, Jung-Won (Dept. of Electronics and Computer Engineering, Dankook University) Oh, Myung-Hwan (Dept. of Electronics and Computer Engineering, Dankook University) Han, Jeong-In (Information Display Research Center, Korea Electronics Technology Institute)

저널정보: 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권2호

발행연도: 2007.1

수록면: 1,312 - 1,314 (3page)

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The effect of gate insulator surface treatment on electrical characteristics of bottom contact (BC) and suspended source/drain (SSD) organic thinfilm transistors (OTFTs) was studied. Triisopropylsilylethynyl pentacene was used as an active material and was printed by ink-jet printing method. In case of the BC OTFTs, threshold voltage was shifted from positive to near zero, and the fieldeffect mobility was increased when the gate insulator surface was treated with hexamethyldisilazane. However, in case of SSD OTFT, threshold voltage shift was not observed and the field-effect mobility was decreased.

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