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Lee, Seok-Woo (LG. Philips LCD R&D Center) Kim, Young-Joo (LG. Philips LCD R&D Center) Park, Soo-Jeong (LG. Philips LCD R&D Center) Kang, Ho-Chul (LG. Philips LCD R&D Center) Kim, Chang-Yeon (LG. Philips LCD R&D Center) Kim, Chang-Dong (LG. Philips LCD R&D Center) Chung, In-Jae (LG. Philips LCD R&D Center)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
발행연도
2006.1
수록면
505 - 508 (4page)

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Self-heating induced device degradation and its width/length (W/L) dimension dependence were studied in p-type polycrystalline silicon (poly-Si) thin film transistors (TFTs). Negative channel conductance was observed under high power region of output curve, which was mainly caused by hole trapping into gate oxide and also by trap state generation by self-heating effect. Self-heating effect became aggravated as W/L ratio was increased, which was understood by the differences in heat dissipation capability. By reducing applied power density normalized to TFT area, self-heating induced degradation could be reduced.

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