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저자정보
Kim, Hyun-Min (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University) Park, Hyung-June (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University) Yi, Jun-Sin (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan University) Oh, Se-Myoung (Dept. of physics, Brain Korea 21 Physics Research Division and Institute of Basic Science, Sungkyunkwan University) Jung, Dong-Geun (Dept. of physics, Brain Korea 21 Physics Research Division and Institute of Basic Science, Sungkyunkwan University)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
발행연도
2006.1
수록면
1,014 - 1,017 (4page)

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Admittance Spectroscopic analysis was applied to study the effect of LiF buffer layer and to model the equivalent circuit for $ITO/Alq_3/LiF/Al$ device structure. The admittance spectroscopic analysis of the devices with LiF layer shows reduction in contact resistance $(R_C)$, parallel resistance $(R_P)$ and increment in parallel capacitance $(C_P)$.

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