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자료유형
학술대회자료
저자정보
Blochwitz-Nimoth, Jan (Novaled GmbH) Birnstock, Jan (Novaled GmbH) Wellmann, Philipp (Novaled GmbH) Werner, Ansgar (Novaled GmbH) Romainczyk, Tilmann (Novaled GmbH) Limmert, Michael (Novaled GmbH) Grubing, Andre (Novaled GmbH)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
발행연도
2005.1
수록면
955 - 962 (8page)

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Power efficiency, lifetime and stable manufacturing processes are the crucial parameters for the success of organic light emitting diodes (OLEDs) in display and lighting applications. Highest power efficiencies of PIN-OLEDs for all principal colours and for bottom and top emission OLED structures have been demonstrated. The PIN structure, which means the incorporation of intentionally doped charge carrier transport layer in a suitable OLED layer setup, lowers the operating voltage to achieve highest power efficiencies. Up to now the n-doping of the electron transport layer has been done by alkali metal co-deposition. This has main draw-backs in terms of manufacturability, since the handling of large amounts of pure Cs is a basic issue in production lines. Here we present in detail results on PIN-OLEDs comprising a newly developed molecular n-dopant. All the previous OLED performance data based on PIN-OLEDs with alkali metal doping could be reproduced and will be further improved in the future. Hence, for the first time, a full manufacturing compatible PIN-OLED is available.

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