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저자정보
Lee, Cheon-An (Inter-University Semiconductor Research Center [ISRC] and School of Electrical Engineering, Seoul National University) Kwon, Hyuck-In (Inter-University Semiconductor Research Center [ISRC] and School of Electrical Engineering, Seoul National University) Jin, Sung-Hun (Inter-University Semiconductor Research Center [ISRC] and School of Electrical Engineering, Seoul National University) Lee, Chang-Ju (Inter-University Semiconductor Research Center [ISRC] and School of Electrical Engineering, Seoul National University) Lee, Myung-Won (Inter-University Semiconductor Research Center [ISRC] and School of Electrical Engineering, Seoul National University) Kyung, Jae-Woo (Inter-University Semiconductor Research Center [ISRC] and School of Electrical Engineering, Seoul National University) Cho, Il-Whan (Inter-University Semiconductor Research Center [ISRC] and School of Electrical Engineering, Seoul National University) Lee, Jong-Duk (Inter-University Semiconductor Research Center [ISRC] and School of Electrical Engineering, Seoul National University) Park, Byung-Gook (Inter-University Semiconductor Research)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display
발행연도
2003.1
수록면
981 - 983 (3page)

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Using the conventional standard CMOS logic process, the high voltage MOSFET to drive top emission OLEDs was fabricated for the silicon-based organic electroluminescent display. The drift region of the conventional high voltage MOSFET was implemented by the n-well of the logic process. The measurement result shows a good saturation characteristic up to 50 V without breakdown phenomena.

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