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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
최경 (강원대학교 전자공학과)
저널정보
강원대학교 산업기술연구소 산업기술연구 : 강원대학교 산업기술연구소 산업기술연구 : 강원대학교 산업기술연구소 제9권
발행연도
1989.1
수록면
109 - 117 (9page)

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In the finite element analysis of semiconductor devices analysis, the solution often be diverged due to the numerical instability of discretized equations. To overcome this problems, a noble finite element code which guarantees a successful convergence is developed. The factor of divergence in the current continuity equation of semiconductor governing equations is derived using stability test and an adaptive mesh refine scheme is introduced to eliminates the divergence properties. A test calculation of GaAs MESFET model reveals that the proposed scheme has a robust self-convergence property and is suitable for the semiconductor devices analysis.

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