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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
권영재 (인하대학교 금속공학과) 이종무 (인하대학교 금속공학과) 배대록 (삼성전자 반도체연구소 LS 공정개발) 강호규 (삼성전자 반도체연구소 LS 공정개발)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제8권 제7호
발행연도
1998.1
수록면
579 - 583 (5page)

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1998

SiO₂와 Co / Ti 이중층 구조의 상호반응
권영재 ,  이종무 ,  배대록 외 1명 Applied Science and Convergence Technology 1998.08 학술저널
$SiO_2$와 Co/Nb 이중층 구조의 상호반응
권영재 ,  이종무 ,  배대록 외 1명 한국재료학회지 1998.01 학술저널
$\textrm{SiO}_2$기판 위에 증착된 Co/Hf 이중층의 계면반응
권영재 ,  이종무 ,  배대록 외 1명 한국재료학회지 1998.01 학술저널
다결정 Si기판 위에서의 Co/Ti 이중층의 실리사이드화
권영재 ,  이종무 ,  배대록 외 1명 한국재료학회지 1998.01 학술저널

1996

Cu와 Co 및 Co/내화금속 이중층 실리사이드 계면의 열적 안정성
권영재 ,  이병욱 ,  이종무 외 2명 한국재료학회 학술발표대회 1996.01 학술대회자료

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P가 고농도로 도핑된 다결정 Si 기판 위에 Co/Ti 이중층막을 스퍼터 증착하고 급속열처리함으로써 얻어지는 실리사이드 층구조, 실리사이드막의 응집, 그리고 도펀트의 재분포 등을 단결정 Si 기판 위에서의 그것들과 비교하여 조사하였다. 다결정 Si 기판위에 형성한 Co/Si 이중층을 열처리할 때 단결정 기판에서의 경우보다 $CoSi_2$로의 상천이는 약간 더 낮은 온도에서 시작되며, 막의 응집은 더 심하게 일어난다. 또한, 다결정 Si 기판내의 도펀트보다 웨이퍼 표면을 통하여 바깥으로 outdiffusion 함으로써 소실되는 양이 훨씬 더 많다. 이러한 차이는 다결정 Si 내에서의 결정립계 확산과 고농도의 도펀트에 기인한다. Co/Ti/doped-polycrystalline si의 실리사이드화 열처리후의 층구조는 polycrystalline CoSi2/polycrystalline Si 으로서 Co/Ti(100)Si을 열처리한 경우의 층구조인 Co-Ti-Si/epi-CoSi2/(100)Si 과는 달리 Co-Ti-Si층이 사라진다.

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