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학술저널
저자정보
김상수 (창원대학교 자연과학대학 물리학과) 장기완 (창원대학교 자연과학대학 물리학과) 한창희 (창원대학교 자연과학대학 물리학과) 이호섭 (창원대학교 자연과학대학 물리학과) 김원정 (창원대학교 자연과학대학 물리학과) 최은경 (창원대학교 자연과학대학 물리학과) 박문흠 (창원대학교 자연과학대학 물리학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제13권 제5호
발행연도
2003.1
수록면
317 - 322 (6page)

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Bismuth layered structure ferroelectric thin films, $Bi_4$$Ti_3$$O_{12}$ / (BTO) and Nb-doped BTO (BTN) were prepared on the Pt(111)/Ti/$SiO_2$/Si(100) substrates by a sol-gel route. We investigated the Nb-doping effect on the grain orientation and ferroelectric properties. $Nb^{5＋}$ ion substitution for $Ti^{4＋}$ ion in perovskite layers of BTO decreased the degree of c-axis orientation and increased the remanent polarization (2Pr). The fatigue resistance of Nb-doped BTO thin film was shown to be superior to that of BTO, and the leakage current of Nb-doped BTO thin film was decreased about 1 order of magnitude compared with BTO. The improvement of ferroelectric properties with $Nb^{5＋}$ doping in BTO could be attributed to the changes in space charge densities and grain orientation in the thin film.
#${Bi_4}{Ti_3}{O_{12}}$ thin film #sol-gel #orientation #ferroelectric properties

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